M5311-1/UM型LPCVD設(shè)備

低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備（LPCVD)，是在20 - 300PA左右的反應(yīng)壓力下，通過氣體的化學(xué)反應(yīng)生成固體反應(yīng)物，并使其淀積在硅片表面形成薄膜的工藝設(shè)備。由于其制備的薄膜具有質(zhì)量優(yōu)異、均勻性好、產(chǎn)量高的特點，被廣泛用于微電子等行業(yè)中氧化硅和多晶硅等薄膜的制備。適用于晶硅電池行業(yè)中的TOPCON電池多晶硅薄膜的制備，具有產(chǎn)能大、工藝效果好、兼容原位摻雜工藝等特點。相比較傳統(tǒng)臥式爐管設(shè)備，立式擴(kuò)散設(shè)備具備：高效穩(wěn)定，高精度溫度控制性能，良好工藝效果和低能耗等技術(shù)優(yōu)勢。

關(guān)鍵詞：

泛半導(dǎo)體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線集成解決方案提供商

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M5311-1/UM型LPCVD設(shè)備

設(shè)備概述：

產(chǎn)品的主要特點及優(yōu)勢：

硅片尺寸可兼容至230mm;
采用獨特的控溫方式，確保工藝區(qū)溫度的均勻性與穩(wěn)定性;
全金屬內(nèi)腔，腔體無損壞，設(shè)備利用率高，生產(chǎn)成本低；
沿反應(yīng)腔徑向方向無形變，管徑更小，能耗更低；
分段多形式進(jìn)氣管路設(shè)計，工藝均勻性更優(yōu)；
整機(jī)模塊化設(shè)計，兼容性強(qiáng)，可與硼擴(kuò)散/LPCVD互相升級。

主要技術(shù)參數(shù)

工藝種類	SiOX 、Poly-Si、原位摻雜	遂穿層均勻性	片內(nèi)≤±0.2NM、片間≤±0.2NM、批間≤±0.1NM
可選管數(shù)	6管/臺、12管/臺	本征層均勻性	片內(nèi)≤5%、片間≤4%、批間≤3%
石英管內(nèi)徑	≥350mm	原位摻雜均勻性	片內(nèi)≤5%、片間≤5%、批間≤4%
典型裝片量	182硅片：1400片/舟	溫度控制范圍	400℃ - 700℃
典型裝片量	210硅片：1200片/舟	恒溫區(qū)長度及精度	≤±1℃/1700mm(500℃ - 700℃)
溫度速率	最大升溫速率為20℃/min 最大降溫速率為3℃/min (800℃）	工作壓力	20 - 300Mbar（閉環(huán)控制）

M5111-2/UM型低壓硼擴(kuò)散爐設(shè)備

M80110-3/UM型LPCVD設(shè)備

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