RSC-6000型異質結PECVD設備（含自動化）

設備采用射頻等離子體增加化學氣相沉積技術，在制絨清洗后的硅片表面，沉積5-10NM非晶硅鈍化層。非晶硅鈍化層包括本征非晶硅層（I層）、摻雜非晶硅層（P層）和摻雜非晶硅層（N層），且具備切換成甚高頻電源進行摻雜微晶硅層（P層）和參雜微晶硅層（N層）的沉積；配備等離子清洗系統，可在腔內實現腔體和板框的自動清洗功能，維護保養方便；自動上下料系統具備上料自動外觀（破片、缺口、崩邊）檢測及下料PL檢測功能，整機良率及穩定性好。

關鍵詞：

泛半導體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線集成解決方案提供商

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RSC-6000型異質結PECVD設備（含自動化）

設備概述：

產品的主要特點及優勢：

多層勻流陰極噴淋系統，間距可調，工藝窗口更寬；
擁有自主知識產品的射頻饋入技術，等離子均勻區域更大；
搭載RPS等離子體自清洗系統，腔室和載板免維護；
符合非晶硅工藝的設備自動化只能制造解決方案；
模塊化設計，擴展性好，面向未來的可擴展制定化技術平臺。

主要技術參數：

工藝種類	RCS-12000	載板清洗時間	<2h/天	不良率	≤0.5%（機械部分造成不良）
成膜種類	本征非晶硅/摻雜非晶硅/（摻雜微晶硅）		硅片傳輸形式	Work Beam(不可對硅片膜面造成損傷、污染）
載板規格	210半片，120片/批，（可兼容23x-15x尺寸硅片）		產能	12000pcs/h
碎片率	≤0.8%（含自動化）		Uptime	≥90%(設備清洗恢復時間算作非開機時間）
工藝溫度	150℃ - 250℃（溫度不均勻性≤5℃）		放片精度	≤±0.5mm（硅片放入載板精度）
膜厚均勻性	4%（片內）、8%（片間）、5%（批間）		氣氛環境	局部采用氮氣或FFU微正壓形成微正壓
反射功率	反射功率穩定時間≤0.5s		定位方式	視覺系統+機械對位（硅片與載板定位）